MOS FET继电器的构成和动作原理：

MOS FET继电器即光耦继电器，MOS FET全称Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金属，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半导体，F: Field---场,E: Effect---效应,T: Transistor---晶体管，代表金属氧化物半导体场效应管。它的内部由3个芯片构成，LED芯片+PDA芯片（光电二极管阵列）+MOS FET芯片共同组成，工作原理是通过LED发光--PDA发电--MOSFET开关，这三个过程相结合实现继电器 的功能。

MOS FET继电器是在输出元件中使用功率MOS FET的SSR。为使功率MOS FET动作， 光电二极管阵列作为受光元件使用。输入端子中有电流流过时， LED会发光。这个光使光电二极管阵列中发生光电流， 这使栅极电压使功率MOS FET置于ON。用源共通连接2个功率MOS FET， 可控制AC负载。DC专用的类型中有带1个电源 MOS FET的类型。